2024年國(guó)際汽車(chē)新材料大會(huì)——半導(dǎo)體新材料專題

5月30日，2024年國(guó)際汽車(chē)新材料大會(huì)在安徽省蕪湖市順利召開(kāi)。31日，大會(huì)下設(shè)的“半導(dǎo)體新材料”分會(huì)場(chǎng)以半導(dǎo)體新材料為主題，各報(bào)告嘉賓解讀了目前新材料在半導(dǎo)體新材料方向上的研究及應(yīng)用情況，并提出了未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

此會(huì)場(chǎng)由國(guó)汽輕量化（江蘇）汽車(chē)技術(shù)有限公司產(chǎn)業(yè)研究工程師張子軍主持，來(lái)自中國(guó)有研科技集團(tuán)有限公司、中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、濟(jì)南大學(xué)、山東大學(xué)、元素六、北京石墨烯研究院有限公司的7位專家、教授在本次會(huì)議做了相關(guān)報(bào)告。

國(guó)汽輕量化（江蘇）汽車(chē)技術(shù)有限公司產(chǎn)業(yè)研究工程師 張子軍

中國(guó)有研科技集團(tuán)有限公司正高級(jí)工程師趙鴻濱的報(bào)告題目為《信息領(lǐng)域關(guān)鍵材料發(fā)展戰(zhàn)略與思考》，向大家介紹了國(guó)內(nèi)外信息領(lǐng)域關(guān)鍵材料，如顯示材料、5G通信材料、燃料電池材料的國(guó)內(nèi)外戰(zhàn)略布局、國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)外主流企業(yè)的技術(shù)水平差距、未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與發(fā)展重點(diǎn)。

中國(guó)有研科技集團(tuán)有限公司正高級(jí)工程師 趙鴻濱

中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所高級(jí)工程師楊增朝的報(bào)告題目為《先進(jìn)硅基陶瓷燃燒合成新進(jìn)展》，主要介紹了燃燒合成技術(shù)制備先進(jìn)硅基陶瓷粉體如先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷Si3N4、高溫超疏水陶瓷Si2N2O、低成本β-SiC氣凝膠的最新進(jìn)展。

中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所高級(jí)工程師 楊增朝

元素六亞洲戰(zhàn)略業(yè)務(wù)總監(jiān)秦景霞的報(bào)告題目為《金剛石在新能源半導(dǎo)體的應(yīng)用》，主要介紹了化學(xué)氣相沉積法和高溫高壓法制備金剛石材料及其在功率器件、散熱材料、量子信息處理等領(lǐng)域的應(yīng)用。

元素六亞洲戰(zhàn)略業(yè)務(wù)總監(jiān) 秦景霞

北京石墨烯研究院有限公司總監(jiān)徐興的報(bào)告題目為《石墨烯材料汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用展望》，主要介紹了優(yōu)質(zhì)二維材料石墨烯材料的應(yīng)用工藝路徑并著重介紹了石墨烯半導(dǎo)體材料在硅光芯片集成、高性能霍爾傳感器的潛在應(yīng)用場(chǎng)景。

北京石墨烯研究院有限公司總監(jiān) 徐興

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員、博士生導(dǎo)師張青竹的報(bào)告題目為《圍柵堆疊納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備及特性研究》，指出了GAA NSFET是FinFET技術(shù)之后在3nm及以下節(jié)點(diǎn)核心技術(shù)結(jié)構(gòu)，介紹了其團(tuán)隊(duì)研究和開(kāi)發(fā)出的適用于堆疊納米線器件制備的多周期GeSi/Si疊層外延、納米線釋放、內(nèi)側(cè)墻工藝、集成熱預(yù)算評(píng)估等關(guān)鍵模塊工藝和兼容主流體硅FinFET工藝的堆疊GAA NS CMOS器件與SRAM單元電路，為國(guó)內(nèi)12吋平臺(tái)實(shí)現(xiàn)GAA技術(shù)奠定技術(shù)基礎(chǔ)，并探索和研究新型GAA器件和三維堆疊CFET設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)器件性能和電路密度大幅提升。

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員、博士生導(dǎo)師 張青竹

濟(jì)南大學(xué)研究員逄金波的報(bào)告題目為《面向集成電路應(yīng)用的晶圓級(jí)二維材料》，二維材料有很寬的電導(dǎo)率、電磁譜范圍，在量子器件、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、探測(cè)器等領(lǐng)域有很大應(yīng)用潛力，逄金波研究員介紹了國(guó)際上二維材料的技術(shù)發(fā)展路徑，國(guó)內(nèi)外二維集成電路的進(jìn)展和晶圓級(jí)二維材料制備技術(shù)。

濟(jì)南大學(xué)研究員 逄金波

山東大學(xué)副教授穆文祥的報(bào)告題目為《氧化鎵單晶生長(zhǎng)及缺陷研究》，主要介紹了氧化鎵研究進(jìn)展、晶體制備與缺陷分析。

山東大學(xué)副教授 穆文祥

隨著新能源汽車(chē)滲透率的迅速提升，智能座艙、智能駕駛、人機(jī)交互等新技術(shù)日新月異，半導(dǎo)體材料及相關(guān)元器件將是今后的材料開(kāi)發(fā)與產(chǎn)品研發(fā)中的重要內(nèi)容，本次會(huì)議嘉賓分享的半導(dǎo)體新材料與相關(guān)元器件的技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和應(yīng)用等，將進(jìn)一步推動(dòng)整車(chē)科技水平向著更高層次邁進(jìn)。

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